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Prisemi芯导解决方案PrisemiDiscreteOVPSolutionForRelianceJio-光与电子

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原标题：Prisemi芯导解决方案PrisemiDiscreteOVPSolution For Reliance Jio-光与电子

Prisemi芯导解决方案PrisemiDiscreteOVPSolutionForRelianceJio-光与电子Prisemi芯导解决方案|Prisemi Discrete OVP Solution For Reliance Jio

Prisemi芯导解决方案|Prisemi Discrete OVP Solution For Reliance Jio

联系方式：SALES03@SZKOYU.COM SALES07@SZKOYU.COM

伴随着手机功能的不断丰富，以致充电频率的增加、充电环境更加复杂多样化，以及快速充电方案的应用，使得对手机充电Vbus端和Vbat端的保护提出了更高的要求，对保护方案也提出了多种防护等级需求。

Prisemi芯导解决方案PrisemiDiscreteOVPSolutionForRelianceJio-光与电子

本文是针对印度最大的4G运营商Reliance Jio订制的最新智能手机Vchg端防护标准，而提供的解决方案。

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（印度Reliance Jio 的4G覆盖）

Reliance Jio标准

  • Support Maximum DC Input 30V, Ir<1mA
  • Support Surge Capability: Vt>1.0KV@1.2/50us & 8/20us, Ri=40ohm

Prisemi芯导解决方案PrisemiDiscreteOVPSolutionForRelianceJio-光与电子

Prisemi Discrete OVP Solution For Reliance Jio

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（Prisemi Discrete OVP Solution For Reliance Jio）

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测试结论：

1. Response Time:75ns

2. Vc<36V@Vt=1.6KV

主要器件参数特性

1. TVS：PTVSHC1SF28VBH

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2. ESD：PESDNC2FD5VB/PESDHC2FD5VBH

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3. MOSFET：PPMT30V4/PPM6N30V4/PPM6N30V9

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4. Transistor：PPT3FD503E0-2

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